三星S6進入LPDDR4和UFS 2.0時代帶來的改變

此外，在性能增強的同時，LPDDR4 RAM的核心電壓也從1.2V下降到了1.1V，而在如今智能手機對RAM和續(xù)航的要求越來越高的情況下，LPDDR4 RAM在功耗上的優(yōu)勢無疑將吸引越來越多的廠商。

總體來說，LPDDR4 RAM和UFS 2.0閃存的出現(xiàn)可以說是Galaxy S6和Galaxy S6 Edge此次相當重要的提升，這將為用戶在進行高清視頻播放錄制、運行大型游戲和交換大型文件時提供更快更好的體驗。

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