此外，在性能增強(qiáng)的同時(shí)，LPDDR4 RAM的核心電壓也從1.2V下降到了1.1V，而在如今智能手機(jī)對(duì)RAM和續(xù)航的要求越來(lái)越高的情況下，LPDDR4 RAM在功耗上的優(yōu)勢(shì)無(wú)疑將吸引越來(lái)越多的廠商。
總體來(lái)說(shuō)，LPDDR4 RAM和UFS 2.0閃存的出現(xiàn)可以說(shuō)是Galaxy S6和Galaxy S6 Edge此次相當(dāng)重要的提升，這將為用戶在進(jìn)行高清視頻播放錄制、運(yùn)行大型游戲和交換大型文件時(shí)提供更快更好的體驗(yàn)。
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