三星S6進(jìn)入LPDDR4和UFS 2.0時代帶來的改變

騰訊數(shù)碼訊（編譯：Patrick）在最新一代旗艦機(jī)型Galaxy S6和Galaxy S6 Edge上，三星不僅使用了采用14nm制程工藝的Exynos 7420八核處理器，而且還使用了LPDDR4 RAM和符合UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)的閃存芯片。與目前普遍使用的eMMC 5.0/5.1標(biāo)準(zhǔn)相比，UFS 2.0標(biāo)準(zhǔn)不僅速度更快，而且還支持讀寫數(shù)據(jù)同步進(jìn)行，滿足了移動設(shè)備對數(shù)據(jù)交換的更高要求。

雖然閃存似乎不如屏幕、處理器、RAM等硬件配置來得重要，但是連續(xù)存取速度對大型文件的存取還是有著很大的影響，尤其是在處理高清視頻、無損音樂和游戲等任務(wù)時，通常都要涉及到閃存上短時間大量數(shù)據(jù)的移動。而為了驗(yàn)證UFS 2.0閃存究竟有多大提高，近日AndroBench也對Galaxy S6進(jìn)行了測試，結(jié)果證明Galaxy S6在存取速度上與其它旗艦機(jī)型相比有著相當(dāng)大的優(yōu)勢。

雖然測試結(jié)果并不完全代表日常的性能表現(xiàn)，但當(dāng)涉及到大量數(shù)據(jù)的存儲時，UFS 2.0閃存可以說完爆eMMC 5.0閃存。

不僅如此，LPDDR4 RAM更是為Galaxy S6的數(shù)據(jù)交換性能錦上添花。與上一代LPDDR3 RAM相比，LPDDR4 RAM的性能有最多50%的提升。與此同時，更大的內(nèi)存帶寬也允許RAM與處理器之間實(shí)現(xiàn)更快的數(shù)據(jù)交換速度。

當(dāng)運(yùn)行一些大量占用RAM的應(yīng)用時，由于需要將大量數(shù)據(jù)在短時間內(nèi)存入RAM，因此LPDDR4 RAM的優(yōu)勢便體現(xiàn)出來了。比如，在錄制120fps或更高幀數(shù)的慢動作視頻時，相機(jī)會產(chǎn)生大量需要存入RAM的圖片數(shù)據(jù)，而如果帶寬更大的話，這意味著可以拍攝分辨率更高的慢動作視頻。

Galaxy S6內(nèi)置的LPDDR4 RAM的頻率為1552MHz，如果Exynos 7420依然采用Exynos系列處理器雙通道32位標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計的話，帶寬將為24.8GB/s。與之相比，采用LPDDR3 RAM的驍龍801處理器和Exynos 5433處理器的帶寬僅分別為12.8GB/s和13.2GB/s，而同樣采用LPDDR4 RAM的驍龍810的帶寬則與Exynos 7420基本持平。不過和UFS 2.0閃存一樣，LPDDR4 RAM的優(yōu)勢僅在某些情況下才能體現(xiàn)出來，并不是與性能成簡單的正比關(guān)系。

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