TLC固態(tài)硬盤 硬盤的寫入速度下降拉低性能

最近，英睿達(dá)所推出新款固態(tài)硬盤BX200引起了外界的關(guān)注。由于采用了TLC NAND閃存，這款固態(tài)硬盤的售價(jià)并不高，且廠商所展示的數(shù)據(jù)會讓你覺得該系列的性能和其他固態(tài)硬盤沒有區(qū)別。但事實(shí)真的如此嗎？在大多數(shù)情況下，TLC固態(tài)硬盤的表現(xiàn)都相當(dāng)不錯(cuò)。但在復(fù)制大量數(shù)據(jù)時(shí)，硬盤的寫入速度會出現(xiàn)下降。雖然部分硬盤的速度下降相對緩和，但最近的許多TLC固態(tài)硬盤下降幅度非常之大，甚至?xí)�讓你懷疑硬盤是不是壞了。

閃存問題

在過去的幾年里，固態(tài)硬盤對計(jì)算機(jī)系統(tǒng)性能的提升是我們有目共睹的，它不僅提供了超快的隨機(jī)存取時(shí)間，連續(xù)寫入速度也要比機(jī)械硬盤快上三倍以上——如此一來，用戶在處理大文件和備份時(shí)就更加輕松了。

但是，如此的性能優(yōu)勢一般只有SLC/MLC NAND固態(tài)硬盤才具備，TLC NAND并不在其列。TLC可存儲3bit/cell，同體積下可帶來更高的數(shù)據(jù)密度和更大存儲空間，但它的持續(xù)寫入性能相對較慢——在某些情況下，這個(gè)問題十分明顯。

為了解決TLC的寫入性能問題，廠商們想出了幾種辦法。由于3bit的寫入速度較慢，廠商會在TLC當(dāng)中加入SLC——或者將TLC當(dāng)作SLC來對待——并使用DRAM作為更快速的緩存。只要寫入的數(shù)據(jù)量在緩存的范圍之內(nèi)，那你的確可以獲得廠商所宣稱的性能速度。

但如果數(shù)據(jù)超過緩存大小，便會被直接寫入到TLC上。在這種情況下，固態(tài)硬盤的速度會受到相應(yīng)的影響。就拿三星的840和850 EVO來說，兩款TLC固態(tài)硬盤的速度下降相對緩和——寫入20GB文件會從400Mbps下降到300Mbps。

但在其他情況下，寫入速度的下降就顯得有些讓人瞠目結(jié)舌了。正如下圖所示，英睿達(dá)BX200的的連續(xù)寫入性能下降幅度非常驚人，當(dāng)緩存不堪重負(fù)之后，它的寫入速度從400Mbps下降到了80Mbps。

此外，容量更小的固態(tài)硬盤緩存也更小，用戶也就會更快遇到這個(gè)問題。就拿BX200來說，其950GB版擁有12GB緩存，480GB版擁有6GB緩存，240GB版僅有3GB緩存。正如你在上圖中所看到的，480GB和960GB版BX200的速度下降正好就出現(xiàn)在自己的緩存節(jié)點(diǎn)上。且無論是哪一款TLC固態(tài)硬盤，情況都是如此。

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