您的位置:首頁 > 業(yè)內(nèi)資訊 > 摩爾定律仍適用?IBM研制9nm碳納米管
▲穿透式電子顯微鏡(TEM)影像橫截面顯示具有一端鍵合觸點的碳納米管晶體管,其觸點長度低于10nm
Doherty對于IBM的“焊接”技術(shù)印象深刻,認(rèn)為這將為IBM帶來競爭優(yōu)勢。其方式是在碳納米管自對準(zhǔn)于晶體管通道以前,以鉬涂布碳納米管兩端。然后加熱整個組裝至華氐1,562度(850℃而完成“焊接”過程,從而熔融鉬并轉(zhuǎn)化成為碳化物——一種可制作出優(yōu)質(zhì)埃級觸點的導(dǎo)體。
開關(guān)電流切換率達(dá)10,000
“這項焊接/碳化物的新發(fā)現(xiàn)似乎是唯一有利于金屬的硅工藝,而且不會產(chǎn)生氧化的問題,或是蕭特基阻障層特性帶來不必要的步進(jìn)電壓閾值。而IBM的方法可實現(xiàn)10,000的開關(guān)電流切換率,”Doherty指出,“其他嘗試連接至納米管的方式可能隨時間進(jìn)展而產(chǎn)生各種不同的電阻與導(dǎo)電特性,使其只能停留在實驗室階段。IBM的這項成果為實現(xiàn)真正的碳納米管結(jié)構(gòu)鋪路,使其能夠利用經(jīng)驗證可行的硅微影技術(shù)。”
▲圖中顯示在相同納米管上一組具有不同觸點幾何的組件,證實了這種觸點尺寸可加以微縮,而不至于降低組件性能
IBM目前只能用其革命性“焊接”技術(shù)生產(chǎn)p型晶體管,但聲稱這些組件可運作得比FinFET更好。據(jù)漢述仁透露,該公司的下一步是在隧道終端使用光源,打造出n型組件,讓CMOS碳納米管晶體管可在3nm節(jié)點時進(jìn)行制造,屆時硅FinFET將達(dá)到5nm節(jié)點。
“IBM的內(nèi)部目標(biāo)是在5nm節(jié)點時準(zhǔn)備就緒,并成為3nm節(jié)點一直到埃級以后的最佳選擇,”漢述仁表示。
據(jù)Doherty表示,IBM的成果為延續(xù)摩爾定律帶來了新希望,因為對于“焊接”技術(shù)來說,目前還沒有什么不可突破的微縮問題。Doherty并將IBM的這項“焊接”技術(shù)稱為“同軸連接”(coaxial connection)技術(shù)。
“隨著摩爾定律的持續(xù)推向極限,硅晶變得越來越低效,而9nm通道的碳納米管技術(shù)為業(yè)界帶來了勇氣和信心,讓他們知道還有可替代的半導(dǎo)體路徑存在,”Doherty強(qiáng)調(diào),“同時,我也很少看到IBM的科學(xué)論文中有這么多研究人員共同帶來了貢獻(xiàn)。他們的目標(biāo)是在十年內(nèi)付諸生產(chǎn),但我相信他們一定想盡可能更快達(dá)成!
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