狂砸55億：Intel大連工廠轉(zhuǎn)產(chǎn)存儲芯片

據(jù)外電報道，英特爾周二表示，該公司計劃讓位于大連的半導(dǎo)體制造工廠轉(zhuǎn)產(chǎn)存儲芯片。在未來的三至五年內(nèi)，該工廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)將為英特爾帶來至少35億美元的支出。英特爾稱，該公司對大連工廠的投資最高將達到55億美元。

英特爾大連工廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)，正值全球芯片產(chǎn)業(yè)掀起整合浪潮之時。中國當(dāng)前正加速打造本地技術(shù)制造能力。

長期以來，英特爾的絕大多數(shù)營收都來自于計算機處理器和相關(guān)芯片業(yè)務(wù)。這家公司一直通過嚴格的控制制造技術(shù)，來防止競爭對手的抄襲。

英特爾大連工廠雖然創(chuàng)辦于2010年，但是在制造工藝上卻落后于其它英特爾工廠兩代以上。英特爾表示，通過對該工廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)投資，它將成為領(lǐng)先的非易失性存儲芯片（nonvolatile memory chips）制造商。非易失性存儲芯片是指在斷電的情況下，芯片依舊能夠保存數(shù)據(jù)。

非易失性存儲芯片包括了目前被廣泛應(yīng)用于智能手機、平板電腦的閃存芯片。英特爾此舉不僅表明將進軍存儲芯片市場，而且會讓存儲芯片業(yè)務(wù)擁有更大的獨立性。英特爾目前通過與美光的合資公司制造閃存芯片。該公司制造的產(chǎn)品，被英特爾用于硬盤和其它存儲設(shè)備當(dāng)中。英特爾和美光最近開發(fā)出3D NAND閃存技術(shù)。不同于將存儲芯片放置在單面，英特爾和美光研究出了一種將它們堆疊最高32層的方法。這樣一來，單個MLC閃存芯片上可以增加最高32GB的存儲空間。英特爾表示，大連工廠預(yù)計將從2016年下半年開始生產(chǎn)3D NAND閃存芯片。

除去常規(guī)閃存芯片之外，英特爾和美光最近還宣布聯(lián)合開發(fā)出了3D XPoint技術(shù)，其速度是現(xiàn)有存儲卡和計算機固態(tài)驅(qū)動器所用NAND閃存技術(shù)的1000倍。

英特爾負責(zé)非易失性存儲芯片業(yè)務(wù)的副總裁羅伯·克魯克（Rob Crooke）在博客中表示，“英特爾與美光的關(guān)系依舊很好。不過英特爾希望擁有額外提供閃存芯片的渠道�！彼�說，“大連工廠的轉(zhuǎn)產(chǎn)是我們?nèi)�球多元化供�?yīng)戰(zhàn)略的一部分，能夠讓我們更好地服務(wù)于客戶。”

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