蘋果iPhone6s A9芯片之謎：16nm為何比14nm好？

相較于臺(tái)積電的芯片制程是按部就班由28nm > 20nm Planner > 16nm FinFET演進(jìn)而來，三星則是由32nm/28nm Planner技術(shù)直接跳階到14nm FinFET技術(shù)。由于半導(dǎo)體FinFET技術(shù)與過去2D平面技術(shù)的經(jīng)驗(yàn)不同，F(xiàn)inFET無論在制程、設(shè)計(jì)、IP與電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)工具各方面都必須經(jīng)過克服眾多挑戰(zhàn)才能成熟，就結(jié)果論來看，三星似乎尚未能成熟駕馭FinFET這項(xiàng)新技術(shù)，尤其是良率與漏電控制上。三星雖然挖走了臺(tái)積電FinFET技術(shù)的戰(zhàn)將，但高階主管通常只記得大方向，防漏電及改善良率的苦功則還是要仰賴基層大量、高素質(zhì)且年輕的員工堆砌而來，這目前仍是臺(tái)積電的強(qiáng)項(xiàng)。兩家公司產(chǎn)品的效能的差異，以跑步來舉例，三星雖然速度優(yōu)于臺(tái)積電，但跑起來卻老是蛇行，最終還是輸給直行的臺(tái)積電。

不過，話雖如此，三星A9的效能仍是通過Apple的認(rèn)可，不是三星A9的效能不好，而是臺(tái)積電做得太好�；�于成本的考量與Apple過去的風(fēng)格，三星仍在A9處理器訂單爭(zhēng)奪上占了上風(fēng)。雖然臺(tái)積電暫時(shí)透過法律途徑暫時(shí)讓梁孟松無法正式在三星任職，但關(guān)鍵人才遭挖角導(dǎo)致原本技術(shù)的落差鴻溝被彌平的傷害已經(jīng)造成，臺(tái)積電仍將面臨三星與中國(guó)很大的挑戰(zhàn)與嚴(yán)酷考驗(yàn)。臺(tái)積電如何善用蔣尚義的指導(dǎo)及過去數(shù)十年累積的經(jīng)驗(yàn)與基礎(chǔ)盡早讓臺(tái)積電7nm做到全世界最領(lǐng)先，將是臺(tái)積電擺脫三星纏斗之道。

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