高通第三代快速充電技術(shù)發(fā)布：半小時(shí)可充80%

高通今日宣布，其子公司Qualcomm Technologies, Inc. 現(xiàn)已推出下一代快速充電技術(shù)Qualcomm®Quick Charge™3.0。作為快速充電技術(shù)的第三代產(chǎn)品，Quick Charge 3.0在同類產(chǎn)品中首次采用最佳電壓智能協(xié)商（Intelligent Negotiation for Optimum Voltage，INOV）算法。

INOV是由Qualcomm Technologies開(kāi)發(fā)的全新算法，旨在幫助便攜設(shè)備具備選定所需功率電平的能力，以在任意時(shí)刻實(shí)現(xiàn)最佳功率傳輸，且最大化效率。Quick Charge 3.0能在大約35分鐘內(nèi)將一部典型的手機(jī)從零電量充電至80%，而不具備Quick Charge的傳統(tǒng)移動(dòng)終端通常需要大致一個(gè)半小時(shí)的時(shí)間。

借助INOV和其他先進(jìn)技術(shù)的Quick Charge 3.0，可實(shí)現(xiàn)比Quick Charge 2.0最高達(dá)38%的效率提升，同時(shí)還采用其他方法幫助保護(hù)電池壽命周期。此外，當(dāng)與Qualcomm Technologies最新的、先進(jìn)并聯(lián)充電配置一起使用時(shí)，Quick Charge 3.0可以實(shí)現(xiàn)：

與Quick Charge 2.0相比，幫助提高快速充電速度最高達(dá)27%，或減少功率損耗最高達(dá)45%

比Quick Charge 1.0快2倍的充電速度

Quick Charge 3.0現(xiàn)已正式推出，并將在部分Qualcomm®驍龍™處理器中以選配形式提供，包括驍龍820、620、618、617和430處理器；搭載這一技術(shù)的移動(dòng)終端預(yù)計(jì)將于明年上市。Qualcomm驍龍?zhí)幚砥魇荙ualcomm Technologies, Inc.的產(chǎn)品。

Quick Charge 3.0還帶來(lái)了諸多方面的提升：在Quick Charge 2.0的基礎(chǔ)上增強(qiáng)了靈活性，特別是在充電選項(xiàng)方面。Quick Charge 2.0提供5V、9V、12V和20V四檔充電電壓，Quick Charge 3.0則以200mV增量為一檔，提供從3.6V到20V電壓的靈活選擇。這將允許手機(jī)獲得恰到好處的電壓，達(dá)到預(yù)期的充電電流，從而最小化電量損失、提高充電效率并改善熱表現(xiàn)。

Quick Charge 3.0能夠與Quick Charge之前的版本及連接器（包括USB Type-C）前向和后向兼容，并且擁有同樣的超快充電速度，以及獨(dú)立電路，為OEM廠商提供更靈活的選擇，此外還有幫助達(dá)到質(zhì)量和安全標(biāo)準(zhǔn)的UL認(rèn)證。

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