黑科技：Intel公布3D XPoint非易失性硬盤

昨天開幕的IDF會議上，Intel公開了基于黑科技3D XPoint閃存的Octane硬盤技術(shù)，現(xiàn)場演示的是PCI-E接口的Octane硬盤，性能達到了當前頂級PCI-E硬盤的5-7倍。但是PCI-E硬盤只是Intel Octane計劃的一部分而已，別忘了3D XPoint閃存本身很特殊，既可以做NAND閃存也可以做DRAM內(nèi)存，Intel還準備了DIMM內(nèi)存型的Octane，號稱成本只有DDR內(nèi)存的一半，但容量是DDR的4倍，更關(guān)鍵的是它還是非易失性的，斷電不丟失數(shù)據(jù)。

Intel在IDF會議上演示了SSD型的Octane硬盤，不過DIMM插槽型的Octane只有解說，沒有演示。從Hardware.fr的報道來看，Intel提到DIMM型的3D XPoint內(nèi)存比目前的DDR內(nèi)存更有優(yōu)勢，成本只有DDR的一半，但容量可達DDR內(nèi)存的4倍。

3D XPoint閃存發(fā)布時，Intel提到過初期的核心容量是128Gbt（16GB），那么8核心的3D XPoint內(nèi)存就有128GB容量了，如果是16顆核心，那么單條容量甚至可達256GB，要知道目前單條16GB的內(nèi)存都很少，因為DDR內(nèi)存的核心容量普遍是4Gb，新一代的才有8Gb（1GB容量）而已，與NAND閃存的核心容量相差甚遠。

Intel提到，DIMM插槽型的Octane（應該稱之為硬盤還是內(nèi)存呢？）首先會用于服務器級的Skylake平臺（Skylake-E/EP要到明年才能發(fā)布），看起來Skylake處理器內(nèi)部應該會集成特別的內(nèi)存控制器，只不過目前還不知道具體細節(jié)。

那么DIMM插槽類型的Octane能否真正充當系統(tǒng)內(nèi)存使用？這看起來還不確定，因為原文提到這種“內(nèi)存”可以跟DDR4內(nèi)存混插，而且需要DDR4內(nèi)存才能啟動，Octane看起來更像是二級內(nèi)存。

不論哪種情況，現(xiàn)在可以確定的是這種神奇的Octane內(nèi)存不會應用其他平臺，包括現(xiàn)在的桌面版Skylake處理器。

眾所周知，DRAM與NAND已經(jīng)誕生了數(shù)十年，二者各有優(yōu)缺點：DRAM能夠提供納秒級延遲水平與幾乎無限的耐久能力，但其存在著存儲單元較大而價格昂貴、存儲單元擁有易失性以及功耗較高等問題；而NAND的延遲過高（特別是寫入操作），寫入周期有限，但其存儲單元為非易失性而且整套結(jié)構(gòu)更為高效。因此一直以來，二者都是協(xié)同合作，即DRAM作為內(nèi)存/緩存機制，而NAND則負責處理數(shù)據(jù)存儲。

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