工藝落后于三星臺(tái)積電，英特爾：別開(kāi)玩笑

在上周英特爾召開(kāi)的年度開(kāi)發(fā)者信息技術(shù)峰會(huì)IDF 2016上，芯片巨頭英特爾披露了不少關(guān)于當(dāng)前和未來(lái)工藝制程技術(shù)的信息，這些東西此前英特爾一直很少提及，或者盡可能少得透露。那么，本次大會(huì)究竟英特爾提到了那些細(xì)節(jié)呢？

第二代14納米工藝

英特爾最談?wù)摰脑掝}是基于目前制造技術(shù)的“衍生科技（Derivative Technologies）”。所謂衍生技術(shù)，按照英特爾的解釋就是“性能得以提高，以及功能擴(kuò)展變得越來(lái)越普遍”的技術(shù)。為此，英特爾發(fā)布了第一個(gè)基于衍生技術(shù)而來(lái)的技術(shù)：“14 ”，還可以稱之為“14nm ”或第二代14納米技術(shù)。

英特爾表示，該“衍生”技術(shù)在晶體管和金屬疊層增強(qiáng)的情況下，可以讓處理器起碼得到12%左右的性能提升。

很顯然，更完善的第二代14nm工藝將率先運(yùn)用到英特爾即將推出的Kaby Lake微架構(gòu)第七代酷睿處理器上。如果不出意外的話，2017年發(fā)布的14納米服務(wù)器處理器，也將基于“14nm ”工藝打造。

10納米工藝同樣分三波產(chǎn)品

英特爾稱，未來(lái)發(fā)布的10納米工藝制程，也將根據(jù)衍生科技分迭代更新三次，分別為：“10”、“10 ”和“10 ”，支持多種最為領(lǐng)先的產(chǎn)品。

這就意味著，2017年下半年發(fā)布的10納米技術(shù)產(chǎn)品只是第一代，隨后還有延續(xù)兩代，主要伴隨著芯片底層架構(gòu)的改進(jìn)以及相關(guān)制程工藝的改進(jìn)，而迎來(lái)適當(dāng)?shù)男阅茉鰪?qiáng)。

英特爾聲稱注重密度優(yōu)勢(shì)而非趕工

英特爾談到了很多有關(guān)想制造技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)秀，特別是芯片單位密集的晶體管密度。在英特爾看來(lái)，在一個(gè)固定的芯片面積上，能夠塞進(jìn)更多的晶體管，則意味著擁有更多的特性和功能，而不是一味的追求新一代工藝制程。

有意思的是，英特爾還諷刺了半導(dǎo)體行業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和三星，指出晶體管柵極與柵極之間的間距指標(biāo)不如自家，特別是即將推出的10納米制造技術(shù)上密度差距很大，相反英特爾則遙遙領(lǐng)先，晶體管鱗片間距做得最為緊密，而且鱗片更高、更薄，更易于提高晶體管的驅(qū)動(dòng)電流和性能。

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