全球半導(dǎo)體支出縮減　三星、SK海力士逆流而上

韓國(guó)存儲(chǔ)器芯片業(yè)界將主導(dǎo)設(shè)備投資(CAPEX)競(jìng)爭(zhēng)。在其他地區(qū)競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者擔(dān)憂IT產(chǎn)品需求趨緩，而縮減設(shè)備投資規(guī)模時(shí)，三星電子(Samsung Electronics)和SK海力士(SK Hynix)等韓國(guó)企業(yè)將反其道而行，擴(kuò)大投資并推動(dòng)微細(xì)制程尖端化等，致力于研發(fā)新技術(shù)，未來(lái)在競(jìng)爭(zhēng)中將更具優(yōu)勢(shì)。

據(jù)韓國(guó)Newstomatoa報(bào)導(dǎo)，英特爾(Intel)決定將2015年設(shè)備投資規(guī)模，從87億美元縮減11.5%至77億美元；臺(tái)積電設(shè)備投資規(guī)模也從120億美元減少約8%至110億美元。因IT裝置等終端產(chǎn)業(yè)銷售疲軟，相關(guān)零組件需求減少，全球IT、系統(tǒng)芯片業(yè)者紛紛調(diào)降原定的設(shè)備投資規(guī)模。這也意味著下半年全球IT需求將鈍化。

反觀DRAM業(yè)者致力于擴(kuò)大投資規(guī)模。上半年三星的投資額已達(dá)7.6兆韓元(約64億美元)，以年度為基準(zhǔn)，總投資額可能超過(guò)15兆韓元。2014年三星半導(dǎo)體設(shè)備投資規(guī)模為14.3兆韓元。

SK海力士上半年投資3.7兆韓元，較2014年增加35%。年度投資規(guī)模估計(jì)為6兆韓元。DRAM業(yè)界三哥美光(Micron)的投資規(guī)模將維持2015年初計(jì)劃，約40億美元，2016年設(shè)備投資規(guī)模估計(jì)將近50億美元。

DRAM業(yè)者擴(kuò)大投資設(shè)備，將無(wú)法排除DRAM的供需失衡的可能性。目前以PC和伺服器DRAM為中心，DRAM價(jià)格正在下滑，若出現(xiàn)供貨過(guò)剩的情況，將加速跌價(jià)。

韓廠計(jì)劃透過(guò)確保微細(xì)制程加強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力。透過(guò)引進(jìn)尖端微細(xì)制程，提升產(chǎn)品性能并節(jié)約成本，一箭雙鵰。韓廠若能較其他競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者先一步引進(jìn)尖端制程，即使面臨供過(guò)于求的情況，也能維持較他廠穩(wěn)定的營(yíng)收和獲利。

三星2014年在PC DRAM、移動(dòng)DRAM、伺服器DRAM等應(yīng)用20納米制程，2015年成功量產(chǎn)20納米圖形DRAM，持續(xù)提升20納米DRAM在整體DRAM產(chǎn)品的比重。

生產(chǎn)20納米級(jí)DRAM的SK海力士，預(yù)計(jì)2016年初完成伺服器及移動(dòng)裝置用DDR4 DRAM研發(fā)，將擴(kuò)大20納米制程產(chǎn)能。

韓國(guó)業(yè)者表示，受到終端產(chǎn)業(yè)不振和供貨過(guò)剩影響，DRAM市場(chǎng)成長(zhǎng)趨緩。以目前的情況來(lái)看，韓廠為領(lǐng)先其他競(jìng)爭(zhēng)業(yè)者，朝著透過(guò)尖端微細(xì)制程提升競(jìng)爭(zhēng)力的方向努力。

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