曝iPhone7又傳新配置消息:將采用3D NAND閃存

蘋果新一代手機iPhone 6s和iPhone 6s Plus還未正式發(fā)布，但是關(guān)于iPhone 7的傳聞就應(yīng)滿天飛了。據(jù)外媒報道，SanDisk和東芝均推出了最新一代的3D NAND閃存，這種新閃存將很有可能被應(yīng)用到蘋果2016年推出的iPhone 7身上。

報道稱，SanDisk和東芝現(xiàn)已開發(fā)出了世界首款256Gbit X3 48層3D NAND閃存，采用3bit/cell多值化技術(shù)，容量為32GB。簡單地說，這種32GB的閃存模塊無論是在速度還是效率上，都要超過任何現(xiàn)有的產(chǎn)品。

這種256Gbit X3芯片采用了15nm的工藝，比市面上最優(yōu)秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍，而能耗將進(jìn)一步降低。并且，因為采用了3D堆棧技術(shù)，新芯片的面積將縮小，非常適合智能手機、平板電腦之類的設(shè)備。

更重要的是，蘋果與SanDisk、東芝已經(jīng)建立了合作伙伴關(guān)系，因此有理由相信蘋果會在第一時間為自己的產(chǎn)品使用這種最新的閃存技術(shù)。目前，SanDisk和東芝已經(jīng)完成了今年向iPhone 6s、iPhone 6s Plus第一階段的供貨。

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